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IPU06N03LB G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO251-3
數量：
 5958  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
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IPU06N03LB G-PG-TO251-3圖片

IPU06N03LB G PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.3 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 40µA
閘電荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C50A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2800pF @ 15V
功率 - 最大83W
安裝類型通孔

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