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IPI50R299CP

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-262-3
數量:
 9167  
說明:
 MOSFET CoolMOS Power Transistor
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IPI50R299CP PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPI50R299CPXK IPI50R299CPXKSA1 SP000523748
典型關閉延遲時間:80 nS
上升時間:14 nS
功率耗散:104 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:23 nC
下降時間:12 nS
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.299 Ohms at 10 V
漏極連續電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:550 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPI50R299CP的詳細信息,包括IPI50R299CP廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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