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IPI60R190C6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-262-3
數量:
 5413  
說明:
 MOSFET 600V CoolMOSC6 Power Transistor
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IPI60R190C6 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPI60R190C6XK IPI60R190C6XKSA1 SP000660618
典型關閉延遲時間:110 nS
上升時間:11 nS
功率耗散:151 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:63 nC
下降時間:9 nS
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.19 Ohms at 10 V
漏極連續電流:20.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPI60R190C6的詳細信息,包括IPI60R190C6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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