色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

IPI09N03LA

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO262-3
數量:
 2943  
說明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
IPI09N03LA-PG-TO262-3圖片

IPI09N03LA PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:22 ns
工廠包裝數量:500
上升時間:88.5 ns
功率耗散:63 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:4.2 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):15.5 m Ohms
漏極連續電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPI09N03LA的詳細信息,包括IPI09N03LA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 临漳县| 陆川县| 西林县| 福安市| 屏山县| 扶沟县| 太仓市| 长葛市| 涪陵区| 石狮市| 若尔盖县| 雷波县| 酒泉市| 榆中县| 昌黎县| 顺昌县| 宜章县| 江源县| 湾仔区| 盖州市| 图片| 洛宁县| 永仁县| 友谊县| 谷城县| 张家口市| SHOW| 延吉市| 天门市| 滨州市| 荔波县| 兴文县| 钦州市| 左权县| 东乡族自治县| 屏边| 犍为县| 曲松县| 昌都县| 应用必备| 临澧县|