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IPI020N06N

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-262
數(shù)量:
 864  
說明:
 MOSFET 60V TO-262
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IPI020N06N-TO-262圖片

IPI020N06N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:51 ns
上升時間:45 ns
功率耗散:214 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:106 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :210 S / 100 S
下降時間:19 ns
封裝形式:TO-262
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):2 mOhms
漏極連續(xù)電流:120 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPI020N06N的詳細信息,包括IPI020N06N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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