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IPI020N06NAKSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO262-3-1
數(shù)量:
 873  
說(shuō)明:
 MOSFET MV POWER MOS
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IPI020N06NAKSA1-PG-TO262-3-1圖片

IPI020N06NAKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:IPI020N06N IPI020N06NXK
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:51 ns
上升時(shí)間:45 ns
功率耗散:214 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:106 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :210 S
下降時(shí)間:19 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:PG-TO262-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):2 Ohms
漏極連續(xù)電流:120 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPI020N06NAKSA1的詳細(xì)信息,包括IPI020N06NAKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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