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IPD50R399CPATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-313
數(shù)量：: 6291
說(shuō)明：: LOW POWER_LEGACY

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IPD50R399CPATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：890 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 330μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：399 毫歐 @ 4.9A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：500 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類(lèi)型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：CoolMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPD50R399CPATMA1的詳細(xì)信息，包括IPD50R399CPATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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