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IPD530N15N3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數量:
 5002  
說明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPD530N15N3 G-TO-252圖片

IPD530N15N3 G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPD530N15N3GBTMA1 IPD530N15N3GXT SP000521720
典型關閉延遲時間:13 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:9 ns
功率耗散:68 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.053 Ohms
漏極連續電流:21 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:150 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD530N15N3 G的詳細信息,包括IPD530N15N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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