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IPD50R950CE

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 9342
說(shuō)明：: MOSFET 500V 950 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET

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IPD50R950CE PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPD50R950CEBTMA1
商標(biāo)名：CoolMOS
功率耗散：34 W
柵極電荷 Qg：10.5 nC
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：950 mOhms
漏極連續(xù)電流：4.3 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD50R950CE的詳細(xì)信息，包括IPD50R950CE廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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