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IPD50N06S214

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 8658  
說明:
 MOSFET
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IPD50N06S214-TO-252圖片

IPD50N06S214 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:29 ns
功率耗散:136 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:19 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):14.4 m Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPD50N06S214的詳細(xì)信息,包括IPD50N06S214廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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