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IPD50N06S3-09

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數量：: 8028
說明：: MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms

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IPD50N06S3-09 PDF參數資料

中文參數如下：

零件號別名：IPD50N06S309XT
典型關閉延遲時間：26 ns
上升時間：42 ns
功率耗散：107 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：37 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9 mOhms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD50N06S3-09的詳細信息，包括IPD50N06S3-09廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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