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IPD180N10N3G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數量:
 8402  
說明:
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
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IPD180N10N3G PDF參數資料

中文參數如下:

零件號別名:IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N10N3GXT
典型關閉延遲時間:19 ns
上升時間:12 ns
功率耗散:71 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.018 Ohms
漏極連續電流:43 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD180N10N3G的詳細信息,包括IPD180N10N3G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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