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IPD200N15N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252
數量：
 4889  
說明：
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A
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IPD200N15N3 G-TO-252圖片

IPD200N15N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPD200N15N3GBTMA1 IPD200N15N3GXT SP000386665
典型關閉延遲時間：23 ns
工廠包裝數量：1
上升時間：11 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.02 Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD200N15N3 G的詳細信息，包括IPD200N15N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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