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IPD06N03LA G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO252-3-11
數量：
 3033  
說明：
 MOSFET N-CH 25V 50A
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IPD06N03LA G-PG-TO252-3-11圖片

IPD06N03LA G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：29 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：7.2 ns
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：59 S / 29 S
下降時間：4.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9.4 m Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD06N03LA G的詳細信息，包括IPD06N03LA G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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