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IPD068P03L3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252-3
數量:
 11065  
說明:
 MOSFET P-Channel -30V MOSFET
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IPD068P03L3 G-TO-252-3圖片

IPD068P03L3 G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPD068P03L3GBTMA1 IPD068P03L3GXT SP000472988
典型關閉延遲時間:84 nS
上升時間:100 nS
功率耗散:100 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:68 nC
下降時間:31 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.8 mOhms at - 10 V
漏極連續電流:- 70 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPD068P03L3 G的詳細信息,包括IPD068P03L3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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