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IPB80N06S209

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 6183
說明：: MOSFET MOSFET

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IPB80N06S209 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：39 ns
上升時(shí)間：29 ns
功率耗散：190 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：28 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9.1 m Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB80N06S209的詳細(xì)信息，包括IPB80N06S209廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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