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IPB80N06S2L05

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數量：: 6219
說明：: MOSFET MOSFET

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IPB80N06S2L05 PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：67 ns
上升時間：93 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：90 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.5 m Ohms
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB80N06S2L05的詳細信息，包括IPB80N06S2L05廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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