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IPB65R190C6

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263-3
數量：
 8267  
說明：
 MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPB65R190C6-TO-263-3圖片

IPB65R190C6 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB65R190C6ATMA1 IPB65R190C6XT SP000863890
典型關閉延遲時間：133 nS
上升時間：12 nS
功率耗散：151 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：73 nC
下降時間：10 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.19 Ohms at 10 V
漏極連續電流：20.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：700 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB65R190C6的詳細信息，包括IPB65R190C6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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