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IPB65R380C6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3
數量:
 8262  
說明:
 MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPB65R380C6-TO-263-3圖片

IPB65R380C6 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6XT SP000785084
典型關閉延遲時間:110 nS
上升時間:12 nS
功率耗散:83 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:39 nC
下降時間:11 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.38 Ohms at 10 V
漏極連續電流:10.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:700 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB65R380C6的詳細信息,包括IPB65R380C6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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