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IPB60R600C6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3
數(shù)量:
 3537  
說明:
 MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPB60R600C6-TO-263-3圖片

IPB60R600C6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:IPB60R600C6ATMA1 IPB60R600C6XT SP000660626
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:80 nS
上升時(shí)間:9 nS
功率耗散:63 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:20.5 nC
下降時(shí)間:13 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.6 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流:7.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB60R600C6的詳細(xì)信息,包括IPB60R600C6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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