色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPB160N04S2L-03

IPB160N04S2L-03

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 6237
說明：: MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 40V 160A

一、本商品被瀏覽0次.

IPB160N04S2L-03 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB160N04S2L03ATMA1 IPB160N04S2L03XT SP000218153
典型關閉延遲時間：75 ns
上升時間：51 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quad Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.7 m Ohms
漏極連續(xù)電流：160 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB160N04S2L-03的詳細信息，包括IPB160N04S2L-03廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1