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IPB160N04S3H2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 5040
說明：: MOSFET

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IPB160N04S3H2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：46 ns
上升時(shí)間：16 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：17 ns
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.4 m Ohms
漏極連續(xù)電流：160 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB160N04S3H2的詳細(xì)信息，包括IPB160N04S3H2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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