色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3
數量：: 1917
說明：: MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 67A

一、本商品被瀏覽0次.

IPB12CNE8N G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：IPB12CNE8NGXT
典型關閉延遲時間：32 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：21 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0129 Ohms
漏極連續電流：67 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：85 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB12CNE8N G的詳細信息，包括IPB12CNE8N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1