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IPB13N03LB

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 4545
說明：: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

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IPB13N03LB-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IPB13N03LB PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs11nC @ 5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C30A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1355pF @ 15V
功率 - 最大52W
安裝類型表面貼裝

以上是IPB13N03LB的詳細信息，包括IPB13N03LB廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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