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IPB10N03LB G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 1809  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
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IPB10N03LB G-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IPB10N03LB G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9.6 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:50A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :1639pF @ 15V
功率 - 最大:58W
安裝類型:表面貼裝

以上是IPB10N03LB G的詳細(xì)信息,包括IPB10N03LB G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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