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IPB11N03LA G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：
 1845  
說明：
 MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
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IPB11N03LA G-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IPB11N03LA G PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11.2 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：30A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1358pF @ 15V
功率 - 最大：52W
安裝類型：表面貼裝

以上是IPB11N03LA G的詳細信息，包括IPB11N03LA G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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