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IPB010N06N

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-7
數量:
 3798  
說明:
 MOSFET 60V TO-263
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IPB010N06N-TO-263-7圖片

IPB010N06N PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:74 ns
上升時間:36 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:208 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :310 S / 160 S
下降時間:23 ns
封裝形式:TO-263-7
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):1 mOhms
漏極連續電流:180 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPB010N06N的詳細信息,包括IPB010N06N廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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