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HGTP20N35G3VL

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220AB-3
數(shù)量:
 2430  
說(shuō)明:
 IGBT 晶體管 Coil Dri 20A 350V
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HGTP20N35G3VL-TO-220AB-3圖片

HGTP20N35G3VL PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:HGTP20N35G3VL_NL
工廠包裝數(shù)量:400
安裝風(fēng)格:Through Hole
最小工作溫度:- 40 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:20 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:150 W
柵極—射極漏泄電流:590 uA
在25 C的連續(xù)集電極電流:20 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 10 V
集電極—射極飽和電壓:1.6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:375 V
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGTP20N35G3VL的詳細(xì)信息,包括HGTP20N35G3VL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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