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HGTP2N120CN

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數量:
 1692  
說明:
 IGBT 晶體管 2.6A 1200V N-Ch
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HGTP2N120CN-TO-220-3圖片

HGTP2N120CN PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:HGTP2N120CN_NL
工廠包裝數量:400
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續電流 Ic:13 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:104 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 250 nA
在25 C的連續集電極電流:13 A
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:2.05 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Single
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGTP2N120CN的詳細信息,包括HGTP2N120CN廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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