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HAT2165H-EL-E

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: LFPAK
數量：: 8658
說明：

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HAT2165H-EL-E PDF參數資料

中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：30W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5180 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：33 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.3 毫歐 @ 27.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：55A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Renesas Electronics America Inc

以上是HAT2165H-EL-E的詳細信息，包括HAT2165H-EL-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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