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HAT2166H-EL-E

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: LFPAK
數(shù)量：: 1125
說明：: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

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HAT2166H-EL-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.8 毫歐 @ 22.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：45A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：4400pF @ 10V
功率 - 最大：25W
安裝類型：表面貼裝

以上是HAT2166H-EL-E的詳細(xì)信息，包括HAT2166H-EL-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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