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HAT2131R-EL-E

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: 8-SOP
數量：: 6093
說明：

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HAT2131R-EL-E PDF參數資料

中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：460 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3 歐姆 @ 450mA，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：900mA（Ta）
漏源電壓（Vdss）：350 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Renesas Electronics America Inc

以上是HAT2131R-EL-E的詳細信息，包括HAT2131R-EL-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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