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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27.5 毫歐 @ 7.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)-
閘電荷(Qg) @ Vgs46nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 3200pF @ 10V
功率 - 最大20W
安裝類(lèi)型表面貼裝
以上是HAT2141H-EL-E的詳細(xì)信息,包括HAT2141H-EL-E廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!