色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<center id="yeqem"></center>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > GT50J121(Q)

GT50J121(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P（LH）
數(shù)量：: 1179
說明：: IGBT 晶體管 600V/50A DIS

一、本商品被瀏覽0次.

GT50J121(Q) PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：100
安裝風(fēng)格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：50 A
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P
最大工作溫度：+ 150 C
在25 C的連續(xù)集電極電流：50 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：Toshiba

以上是GT50J121(Q)的詳細(xì)信息，包括GT50J121(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：

FS100R12W2T7PBPSA1

DDB6U84N16RRBPSA1

DDB6U104N16RRB37BPSA1