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GT50JR22(STA1,E,S)

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-3P（N）
數量：: 897
說明：: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

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GT50JR22(STA1,E,S) PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：-
測試條件：-
25°C 時 Td（開/關）值：-
柵極電荷：-
輸入類型：標準
開關能量：-
功率 - 最大值：230 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，50A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：100 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：50 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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