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GT30J121(Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-3P(N)
數(shù)量:
 1156  
說明:
 IGBT 晶體管 600V/30A DIS
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GT30J121(Q)-TO-3P(N)圖片

GT30J121(Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:30 A
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-3P
最大工作溫度:+ 150 C
在25 C的連續(xù)集電極電流:30 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
制造商:Toshiba

以上是GT30J121(Q)的詳細信息,包括GT30J121(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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