色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > GT30J65MRB,S1E

GT30J65MRB,S1E

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-3P（N）
數量：: 1036
說明：: 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-

一、本商品被瀏覽0次.

GT30J65MRB,S1E PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：200 ns
測試條件：400V，15A，56 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：75ns/400ns
柵極電荷：70 nC
輸入類型：標準
開關能量：1.4mJ（開），220μJ（關）
功率 - 最大值：200 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：-
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：-
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT30J65MRB,S1E的詳細信息，包括GT30J65MRB,S1E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：