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FSB660_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SSOT-3
數量:
 3015  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation
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FSB660_Q PDF參數資料

中文參數如下:

包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:0.5 W
集電極連續電流:2 A
封裝形式:SSOT-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:70 at 100 mA at 2 V
增益帶寬產品fT:75 MHz
最大直流電集電極電流:2 A
集電極—射極飽和電壓:60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FSB660_Q的詳細信息,包括FSB660_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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