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FSB660_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-3
數量：: 3015
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation

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FSB660_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：0.5 W
集電極連續電流：2 A
封裝形式：SSOT-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：70 at 100 mA at 2 V
增益帶寬產品fT：75 MHz
最大直流電集電極電流：2 A
集電極—射極飽和電壓：60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FSB660_Q的詳細信息，包括FSB660_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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