色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > FSB6726_Q

FSB6726_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-3
數(shù)量：: 3033
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose

一、本商品被瀏覽0次.

FSB6726_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：0.5 W
集電極連續(xù)電流：1.5 A
封裝形式：SSOT-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 100 mA at 1 V
最大直流電集電極電流：1.5 A
集電極—射極飽和電壓：30 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：30 V
集電極—基極電壓 VCBO：40 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FSB6726_Q的詳細(xì)信息，包括FSB6726_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：