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FQI3N25TU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I2PAK(TO-262)
數(shù)量:
 8811  
說明:
 MOSFET
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FQI3N25TU-I2PAK(TO-262)圖片

FQI3N25TU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:5.5 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:25 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:I2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):2.2 Ohms
漏極連續(xù)電流:2.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:250 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQI3N25TU的詳細(xì)信息,包括FQI3N25TU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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