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FQI3N90TU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數量：: 8847
說明：: MOSFET 900V N-Channel QFET

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FQI3N90TU PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：40 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：45 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：4.1 S
下降時間：35 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.25 Ohms
漏極連續電流：3.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI3N90TU的詳細信息，包括FQI3N90TU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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