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FJA4210YTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3P
數量:
 8028  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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FJA4210YTU-TO-3P圖片

FJA4210YTU PDF參數資料

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中文參數如下:

包裝形式:Tube
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:100000 mW
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:90
增益帶寬產品fT:30 MHz
最大直流電集電極電流:10 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:140 V
集電極—基極電壓 VCBO:200 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FJA4210YTU的詳細信息,包括FJA4210YTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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