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FJA4310RTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P
數量：: 8370
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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FJA4310RTU PDF參數資料

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中文參數如下：

包裝形式：Tube
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：100000 mW
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：50
增益帶寬產品fT：30 MHz
最大直流電集電極電流：10 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：140 V
集電極—基極電壓 VCBO：200 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FJA4310RTU的詳細信息，包括FJA4310RTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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