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FDS8958A_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 7632  
說明:
 MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
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FDS8958A_Q-SOIC-8 Narrow圖片

FDS8958A_Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:23 ns, 14 ns
上升時間:5 ns, 13 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :25 S, 10 S
下降時間:3 ns, 9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.028 Ohms
漏極連續電流:7 A, - 5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDS8958A_Q的詳細信息,包括FDS8958A_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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