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FDS8962C

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數量:
 90  
說明:
 MOSFET SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET
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FDS8962C-8-SOIC圖片

FDS8962C PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:FDS8962C_NL
典型關閉延遲時間:23 ns, 14 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:5 ns, 13 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :25 S, 10 S
下降時間:3 ns, 9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):21 mOhms, 42 mOhms
漏極連續電流:7 A, - 5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDS8962C的詳細信息,包括FDS8962C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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