FDS4435BZ

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 6012
說明：: MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

FDS4435BZ PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：FDS4435BZ_NL
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：68 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：13 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：24 S
下降時(shí)間：38 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.016 Ohms
漏極連續(xù)電流：8.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS4435BZ的詳細(xì)信息，包括FDS4435BZ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1