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FDS4435BZ_F085

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 8165
說明：: MOSFET 30V P-Chan PowerTrench

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FDS4435BZ_F085 PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：30 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：6 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：24 S
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：26 mOhms
漏極連續電流：- 8.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS4435BZ_F085的詳細信息，包括FDS4435BZ_F085廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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