色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDP085N10A_F102

FDP085N10A_F102

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數量：: 6881
說明：: MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

FDP085N10A_F102 PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：400
上升時間：22 ns
功率耗散：188 W
柵極電荷 Qg：31 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：72 S
下降時間：8 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7.35 mOhms
漏極連續電流：96 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP085N10A_F102的詳細信息，包括FDP085N10A_F102廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ