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FDP10N60NZ

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 2115  
說明:
 MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II
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FDP10N60NZ-TO-220-3圖片

FDP10N60NZ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:70 nS
工廠包裝數(shù)量:50
上升時(shí)間:50 ns
功率耗散:185 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:23 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :14 S
下降時(shí)間:50 nS
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.64 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流:10 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDP10N60NZ的詳細(xì)信息,包括FDP10N60NZ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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