色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDN358P_Q

FDN358P_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-3
數量：: 6363
說明：: MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

一、本商品被瀏覽0次.

FDN358P_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：12 ns
上升時間：13 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：3.5 S
下降時間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.125 Ohms
漏極連續電流：- 1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDN358P_Q的詳細信息，包括FDN358P_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ